光耦继电器电路中经常被人忽略的几个因素!-华南微半导体

作者:光耦选型工程师来源:华南微半导体

    设计在电路中的主要作用,是对光能与电能进行隔离,从而达到防止干扰保护电路运行状态为目的。但是在对光耦电路进行设计之前,首先需要了解一些基础的且较为重要的知识点,否则在设计过程中就有可能造成不必要的错误,达不到保护电路的目的。


    光电耦合器的优势有目共睹,其体积小、寿命长、无触点,抗干扰能力强,输出和输入之间绝缘,单向传输信号表现优异,在数字电路上也有广泛的应用。而在光耦电路设计中,有两个参数常常被人忽视,需要格外注意。


    反向电压


    反向电压Vr,是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压,超过此反向电压,可能会损坏LED。而一般光耦中,这个参数只有5V左右,在存在反压或振荡的条件下使用时,要特别注意不要超过反向电压。如,在使用交流脉冲驱动LED时,需要增加保护电路。


    电流传输比


    另外一个参数是光耦的电流传输比,是指在直流工作条件下,光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的CTR类似于三极管的电流放大倍数,是光耦的一个极为重要的参数,它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值,这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态,其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理,可能导致电路不能工作在预想的工作状态。

国产光耦继电器

    除上述两个参数外,光耦还有几个参数是比较重要的,如:


    正向工作电压Vf


    Vf是指在给定的工作电流下,LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=10mA来测试正向工作电压,当然不同的LED,测试条件和测试结果也会不一样。


    集电极电流Ic


    光敏三极管集电极所流过的电流,通常表示其最大值。


    C-E饱和电压Vce


    即光敏三极管的集电极-发射极饱和压降。


    上升时间Tr与下降时间Tf


    其定义与典型测试方法如图所示,它们反映了工作在开关状态的光耦,其开关速度情况。


    以上6个参数是在光耦电路中较为重要,但也是经常被设计者们所忽略的关键点。在接触光耦设计之前对这几个参数进行一定程度上的了解,能够最大程度的避免光耦电路设计错误情况的发生。与此同时,在光耦电路发生错误的时候也可先从这些参数入手,看看是否是关键参数出了问题。


    华南微半导体是专业的LED光电控制器件、光电耦合器、光MOS继电器、LED外延芯片的高新设计创新型企业,总部位于广东省深圳市南山区高新技术园区内,并在杭州、上海和香港设有研发中心和销售服务支持中心。公司专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、低电容等各类特殊应用的光电耦合器产品,并可根据客户需要,为客户提供定制类的产品设计及生产,使客户的产品更具有市场竞争优势。本司的高低压继电器光耦具有在行内领先的研发实力,成功设计并量产了60V、400V、600V等不同负载电压、各种负载电流光电耦合继电器,广泛应用于家用电器、智能电网、工业测控、5G通信、工控设备等领域。

深圳市华南微电子有限公司
地址:广东省深圳市南山区高新技术园区
邮箱:hnv@hnvsemi.com
会员登录
登录
其他账号登录:
我的资料
留言
回到顶部